Fase I: Las primeras fundiciones de chips tenían altos márgenes de beneficio. Utilizan principalmente máquinas de pulverización catódica de magnetrón de 100-150 mm con baja potencia. La película de pulverización catódica es gruesa y el tamaño del chip es grande.
En ese tiempo,objetivos de titaniopara los circuitos integrados eran principalmente objetivos monoméricos y compuestos de 100-150mm.
Fase Ⅱ:
En la segunda etapa, de acuerdo con la ley de Moore, el ancho de la línea de viruta se vuelve más estrecho. Con el fin de aumentar las ganancias, la fundición de chips aumentó la potencia de pulverización del equipo, utilizando principalmente equipos de pulverización de 150-200 mm. Esto requiere aumentar el tamaño del objetivo manteniendo una alta conductividad térmica, un precio bajo y cierta resistencia. Durante este período,objetivos de titaniose componen principalmente de soldadura por difusión de placa posterior de aleación de aluminio y soldadura fuerte y soldadura de placa posterior de aleación de cobre.
Fase III:
En la tercera etapa, con el desarrollo de los circuitos integrados, el ancho de las líneas del chip se reduce aún más. En este momento, las fundiciones de chips utilizan principalmente máquinas de pulverización catódica de 200-300 mm y los requisitos para los materiales de destino son más estrictos. Durante este período, elobjetivo tiestá hecho principalmente de soldadura por difusión de placa posterior de aleación de cobre.
